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PDS产品
固态扩散源
圣戈班氮化硼是半导体行业掺杂硅晶片所用固体固态扩散源（PDS）的领先供应商。 PDS®产品实际上被17个国家的150多家半导体设备制造商所使用。
PDS®产品非常适合需要使用高浓度掺杂剂掺杂大直径硅片，特别是150毫米直径硅片并进行大批量生产的应用。 半导体制造商可使用PDS产品取代诸如三氯化硼、三溴化硼、乙硼烷、三氯氧化磷和磷化氢等有害化学掺杂剂。
PDS®产品类型
N型磷源片PDS®固态扩散源
N型磷源片PDS产品源材料采用了将磷掺杂剂材料和惰性碳化硅衬底结合在一起的独特制造技术。 所获得的源材料在宽广温度范围内具有优异的掺杂特性。
P型硼源片PDS®固态扩散源
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PDS®产品特性
- 优异的薄层电阻均匀性 - 特别是用于大直径硅时产量更高
- 掺杂参数可以良好控制
- 最安全的可用源 -消除气态和液态源系统有害物质
- 减少维护工作-将掺杂玻璃相直接附着转移至硅片，维护无需停机
- 更高装载能力-更高的生产率，每道工序多达150个硅片
- 高性价比 - 改造现有气体设备无需额外成本，降低总的工艺成本
相比气体和液体掺杂剂体系（即BBr 3、BCI 3、B2H 6、PH 3和POC 3 ），PDS ®产品在较大直径时具有更好的均匀性。 使用固态扩散源时需要紧靠每个硅晶片，消除了常见的气体和液体系统耗尽效应 – 这是量产的重要考虑因素。 此外，PDS产品绝对安全，对人员和设备零危害。
PDS硼源片产品的另一个优势是能够使用氢注入工艺，这种工艺用于减少或消除硅晶片的表面缺陷。
PDS磷源片产品有其自身的独特优势。 您可由此获得比气体或液体掺杂系统更高的活性磷表面浓度。
PDS产品可能并不适用于所有半导体应用;浅结芯片、数字微处理器和存储设备不适合使用我们的产品。 如果您的公司正在制造功率设备或大尺寸集成电路，请随时与我们联系。
经过认证的PDS®产品工艺
对于PDS®产品的新用户和既有用户，在解决工艺相关问题时我们可以提供全方位的技术和分析支持服务。
从Carborundum第一次引入PDS产品后30年间，我们在各种工艺条件下对材料进行测试，并提供我们所认为特定条件下的最佳配方。 在没有特定条件参考的情况下，我们提供建议的工艺供您认证。 您的工艺获得认证之后，我们将重点关注洁净室、分析设备的资源整合，并利用我们在马萨诸塞州Northboro和法国LePontet的研究中心研究您的问题。
同时，我们的某些客户还开发对他们来说效果很好但又未遵循我方建议的特殊工艺。 他们将继续由我们的应用工程人员提供协助，但不会提供详细的工艺特征描述和分析测试。