PVD、CVD 和等离子系统用绝缘体

氮化硼的高介电强度和高化学惰性让其成为唯一适合制造高温环境（如PVD、CVD和等离子）各种屏蔽和绝缘制件的材料。

PVD, CVD 系统用绝缘体

诸如绝缘护罩和导轨、靶框、保护管、屏蔽和衬垫以及绝缘体等氮化硼制件可确保PVD电弧始终受到约束指向靶材，避免设备损坏。 氮化硼Combat® AX05 产品在这些应用中通常作为热解氮化硼的替代品使用。此外，PVD和等离子系统中可能出现的任何不必要金属沉积物均可很轻松从之前使用过Combat® 氮化硼液体悬浮液的表面上清除。

用于霍尔效应推进器的等离子室

卫星霍尔效应推进器中的通道是圣戈班氮化硼的一个常见效应。霍尔效应推进器通过将电场与磁场结合电离气流（通常为氙气）产生等离子体。环形通道内的电场将等离子体中的离子加速到极高的排气速度。

要使霍尔效应推进器中的等离子室正常工作，需要能够承受等离子体生成过程中高温的先进陶瓷，同时让电力效率始终保持最高值。氮化硼因其优异的抗溅射性和二次电子发射特性完全满足要求。圣戈班 HP, M26和AX05产品在全球范围的此类应用中得到成功应用。