硅掺杂用扩散源

PDS ®产品P型（氮化硼）和N型（硅磷酸盐）均可用作硅晶片低成本、原位且无毒的扩散源。 PDS ®产品让产量与均匀性之间的取舍再无必要。

各产品的PDS ®产品均可提供最大200毫米直径规格。使用PDS ®产品可让用户能够很少或不改变扩散过程的情况下改变扩散源直径。  此外，圣戈班先进陶瓷氮化硼还可凭借40多年的扩散技术经验提供无与伦比的技术指导。

特点与优点

• 可用于多种设备结构的极高灵活性，由此可消除设备转换产生的资本支出。
• 提高跨批次以及批次间晶片的产量和一致性。
• 通过扩散管气氛的受控引入实现可预测性和可重复性的精确化学原理。
• H ₂注入可调节P型B ₂ O ₃ -HBO ₂系统的分蒸气压，在实现出色均匀性的同时控制低温工艺的缺陷问题。
• 无毒源，使用安全。

主要应用

• 发射极
• 基区
• 集电极
• 通道阻绝层
• 隔离
• 保护环
• 电阻
• 电容
• 太阳能电池
• 源极/漏极
• 沟槽结构

设备

• 功率晶体管和模块
• 小信号或开关晶体管
• 二极管、整流器和晶闸管
• 射频/微波晶体管
• 放大器
• 变压器
• 变送器（传感器和探测器）